Рекомендуем

Схемотехника усилительных устройствПерепелкин Д.А. Схемотехника усилительных устройств
Виртуальная электроника. Компьютерное моделирование аналоговых устройствКардашев Г. А. Виртуальная электроника. Компьютерное моделирование аналоговых устройств
Аналоговая и цифровая электроника (полный курс)Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс)

Книга

Электроника

2013 г.
204 стр.
Тираж 1000 экз.
Формат 60х90/16 (145x215 мм)
Исполнение: в мягкой обложке
ISBN 978-5-9912-0344-9
ББК 32.85я73
УДК 681.3(075.8)
Гриф УМО
Рекомендовано УМО по образованию в области Инфокоммуникационных технологий и систем связи в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 210700 - "Инфокоммуникационные технологии и системы связи квалификации (степени) «бакалавр» и квалификации (степени) «магистр».
Аннотация
В учебном пособии рассмотрены базовые разделы электроники: полупроводниковая электроника, микроэлектроника и функциональная электроника. Дано краткое изложение физических основ построения элементной базы приборов и устройств, их упрощённого математического анализа. Приведен список рекомендуемой литературы для углубленного изучения материала. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 210700 – «Инфокоммуникационные технологии и системы связи квалификации (степени) «бакалавр» и квалификации (степени) «магистр», будет полезно для студентов электронных и радиотехнических направлений вузов, аспирантов и специалистов.

Оглавление

Введение

1. Введение в электронику
1.1. Краткая историческая справка о развитии электроники
1.2. Этапы развития элементной базы электроники
1.3. Классификация элементной базы микроэлектроники
1.4. Место микроэлектроники в сфере высоких технологий

2. Физические основы работы полупроводниковых приборов
2.1. Общие сведения о полупроводниках
2.2. Основные физические явления в полупроводниках
2.3. Электронно-дырочный переход и основные физические явления в нем

3. Электронно-дырочный переход при прямом и обратном включении
3.1. Прямое смещение p-n-перехода
3.2. Обратное смещение p-n-перехода
3.3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода
3.4. Явления пробоя p-n-перехода

4. Полупроводниковые диоды
4.1. Основные характеристики и параметры полупроводниковых диодов
4.2. Основные типы диодов
4.3. Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы
4.4. Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем

5. Униполярные транзисторы. Полевые транзисторы
5.1. Общие сведения о работе униполярных транзисторов
5.2. Структура и принцип действия полевых транзисторов
5.3. Статические характеристики полевых транзисторов
5.4. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема полевого транзистора

6. МДП-транзисторы
6.1. Структура и принцип действия МДП-транзисторов
6.2. Статические характеристики МДП-транзисторов
6.3. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема МДП-транзистора

7. Биполярные транзисторы
7.1. Устройство и основные физические процессы
7.2. Характеристики и параметры схемы с общей базой
7.3. Характеристики и параметры схемы с общим эмиттером
7.4. Три схемы включения транзистора с ненулевым сопротивлением нагрузки
7.5. h-параметры транзисторов

8. Математические модели биполярного транзистора
8.1. Модель Эберса–Молла с двумя источниками тока, управляемыми токами
8.2. Модель Эберса–Молла с одним источником тока, управляемым током
8.3. Эквивалентная схема транзистора для расчета схем с общим эмиттером
8.4. Анализ схем с транзисторами

9. Усилители постоянного тока
9.1. Основные понятия и определения
9.2. Компенсационные УПТ
9.3. Дрейф в УПТ
9.4. Балансные УПТ
9.5. УПТ с преобразованием усиливаемого напряжения

10. Операционные усилители
10.1. Основные понятия и определения
10.2. Структурная схема операционного усилителя
10.3. Основные параметры операционного усилителя
10.4. Передаточная характеристика операционного усилителя
10.5. Частотные свойства операционного усилителя
10.6. Влияние различных факторов на выходное напряжение операционного усилителя
10.7. Классификация операционных усилителей

11. Интегральные микросхемы
11.1. Общие понятия и определения микроэлектроники
11.2. Большие интегральные микросхемы
11.3. Сравнение различных типов ИМС

12. Физико-технологические принципы изготовления ИМС
12.1. Изоляция элементов ИМС
12.2. Особенности и классификация процессов изготовления полупроводниковых биполярных ИМС
12.2.1. Стандартная технология
12.2.2. КИД-технология
12.2.3. БИД-технология
12.3. Особенности, этапы и классификация процессов изготовления гибридных ИМС
12.3.1. Особенности и классификация процессов изготовления гибридных ИМС
12.3.2. Основные этапы изготовления плат

13. Программируемые логические матрицы. Программируемая матричная логика. Базовые матричные кристаллы
13.1. Основные сведения, классификация, области применения
13.2. Программируемые логические матрицы
13.3. Программируемая матричная логика
13.3.1. Схемы с программируемым выходным буфером
13.3.2. Схемы с двунаправленными выводами
13.3.3. Схемы с памятью
13.3.4. ПМЛ с разделяемыми конъюнкторами
13.4. Базовые матричные кристаллы (вентильные матрицы с масочным программированием)
13.4.1. Классификация БМК
13.4.2. Параметры БМК
13.5. Программируемые вентильные матрицы
13.6. Программируемые коммутируемые матричные блоки

14. Перспективные направления развития микроэлектроники
14.1. Основные направления развития функциональной микроэлектроники
14.2. Оптоэлектроника и фотоника
14.2.1. Оптроны
14.2.2. Фотоизлучатели
14.2.3. Фотоприемники
14.2.4. Световоды
14.2.5. Интегральная оптика
14.2.5. Оптоэлектроннные ИМС

Литература